yl23455永利

中文 EN
首页
关于yl23455永利
新品宣布
N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~ 返回
 新产品宣告

产品先容 yl23455永利科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品，产品接纳特殊优化的SGT手艺，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，显着降低导通和开关消耗，同时提升了MOSFET抗雪崩攻击能力。
产品特点 1.接纳最新优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关特征优异 ；
2.接纳PDFN5*6-8L 封装，适用于PD电源同步整流应用 ；
3.针对电源应用的种种事情状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的可靠性。
规格书

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

相关新品

Qrr&Vf 双优! TO-247AC FRED：高效整流“实力派”

高结温超快恢复二极管

用于以太网供电(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品

120V SGT工艺N-Channel MOSFET

SOD-123HE瞬态抑制二极管

IGBT高频系列C1�？�

SGT N80-85V Power MOSFET

具有稳压特征的MMBZ系列静电� ；ざ�

应用于PD电源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图